[21a-PA2-1~28] 12.1 Fabrications and Structure Controls

[21a-PA2-14] Fabrication of Resistive Switching Device Using Ferrocene-attached Polyethyleneimine Layer-by-Layer Films

〇Akito Watanabe¹, Shunsuke Yamamoto¹, Masaya Mitsuishi¹ (1.IMRAM)

Keywords:Layer-by-Layer assembly, Resistive switching device, Ferrocene

脳の機能を模倣したシナプス模倣素子の長期記憶と短期記憶をそれぞれフェロセンの酸化還元反応と交互積層(LbL)膜によるイオン拡散制御を用いることにより実現を目指した。フェロセン修飾ポリエチレンイミンの合成、LbL膜の作製、および抵抗変化スイッチの作製を行い、電流-電圧測定により評価を行った結果、作製した抵抗変化スイッチが長期記憶と短期記憶の両方の機能を実現する可能性を持つことが分かった。