[21a-PA2-1~28] 12.1 作製・構造制御

[21a-PA2-14] フェロセン修飾ポリエチレンイミン交互積層膜を用いた抵抗変化スイッチの作製

〇渡邉 暁斗¹、山本 俊介¹、三ツ石 方也¹ (1.東北大多元研)

キーワード：交互積層法、抵抗変化デバイス、フェロセン

脳の機能を模倣したシナプス模倣素子の長期記憶と短期記憶をそれぞれフェロセンの酸化還元反応と交互積層(LbL)膜によるイオン拡散制御を用いることにより実現を目指した。フェロセン修飾ポリエチレンイミンの合成、LbL膜の作製、および抵抗変化スイッチの作製を行い、電流-電圧測定により評価を行った結果、作製した抵抗変化スイッチが長期記憶と短期記憶の両方の機能を実現する可能性を持つことが分かった。