The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[21a-PA3-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Fri. Sep 21, 2018 9:30 AM - 11:30 AM PA (Event Hall)

9:30 AM - 11:30 AM

[21a-PA3-3] Electron Trap and Release Process for Afterglow in Pr, Al co-doped CaTiO3 Crystals

〇(M2)Ayaka Igarashi1, Yasushi Nanai2, Hayato Kamioka1 (1.Nihon Univ., 2.Aoyama Gakuin Univ.)

Keywords:red afterglow, single crystal, dielectric substance

CaTiO3:Pr3+赤色蛍光体は、残光現象とAlの共添加による発光強度の増大が報告されている。本研究では、PrとAlの濃度を同じ比率で変化させた単結晶を作製し、その蓄光および残光過程の濃度依存性の測定結果を報告する。単結晶のPr, Al 濃度が0.2%の時のみ、蓄光過程において励起光照射直後にピークがあらわれた。さらに残光減衰曲線も最長であった。これらより、蓄光過程と残光過程にはPr, Al濃度に依存した相関があると考えられる。