2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年9月21日(金) 13:00 〜 17:15 135 (135)

上野 智雄(農工大)、嵯峨 幸一郎(ソニー)

16:15 〜 16:30

[21p-135-13] 全反射光を用いたPVAブラシの真実接触面積の可視化

〇(M2)花井 正直1、真田 俊之1、檜山 浩國2、福永 明2 (1.静大工、2.荏原製作所)

キーワード:PVAブラシ、CMP後の洗浄、真実接触面積

半導体デバイス製造工程における平坦化処理後の洗浄には、PVAブラシによるスクラブ洗浄が広く用いられる。この洗浄機構はブラシと表面との接触状態に大きく依存すると考えられている。本研究では接触状態の把握のため、光学装置を用いて接触面の観察を行った。その結果、ブラシを摺動させた際に接触点は前方部に集中することや、スクラブ動作による真実接触面積の変化がブラシの種類によって異なることが確認された。