2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年9月21日(金) 13:00 〜 17:15 135 (135)

上野 智雄(農工大)、嵯峨 幸一郎(ソニー)

16:30 〜 16:45

[21p-135-14] 分子動力学法によるシリコン酸化膜へのシリカ砥粒付着挙動解析

増谷 浩一1、大渕 真志1、濵田 聡美1、三上 益弘2、高東 智佳子1 (1.荏原製作所、2.慶應大理工)

キーワード:CMP、分子動力学法、数値シミュレーション

CMP装置における研磨後洗浄の開発指標とするために、シリコンウェーハ酸化膜への砥粒付着メカニズムの解明や付着傾向を表す自由エネルギーの見積もりが求められている。砥粒付着には分子構造等の微小な現象が関与していると考えられるため、本研究では原子・分子の運動を再現する数値解析手法である分子動力学法を用いて砥粒と酸化膜間の自由エネルギーを求め、付着傾向を評価する事を試みる。