[21p-135-1~16] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[21p-135-7] Influence of hole lifetime of n-SiC epitaxial layer on pn diode characteristics

〇(M1)Kyomin Sasaki¹, Takuya Hoshii¹, Iriya Muneta¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹, Kuniyuki Kakushima¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:semiconductor, device simulation

特に20kV以上の高電圧領域では、 SiCの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)が期待されているが,IGBTのオン抵抗はエピタキシャル成長したNベース領域のキャリア濃度で大きく決定され、長い正孔のライフタイムが求められる。エピタキシャル層は数十mmの膜厚であるため,表面再結合の寄与が大きくなりライフタイム測定は困難である。そこで、表面再結合の影響がなく、電気的に正孔ライフタイムを測定する手法が求められる。本発表では正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響をデバイスシミュレーションを用いて調査したので、報告する