[21p-135-1~16] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21p-135-7] n型SiCのエピタキシャル層の正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響

〇(M1)佐々木 杏民¹、星井 拓也¹、宗田 伊理也¹、若林 整¹、筒井 一生¹、角嶋 邦之¹ (1.東工大工)

キーワード：半導体、デバイスシミュレーション

特に20kV以上の高電圧領域では、 SiCの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)が期待されているが,IGBTのオン抵抗はエピタキシャル成長したNベース領域のキャリア濃度で大きく決定され、長い正孔のライフタイムが求められる。エピタキシャル層は数十mmの膜厚であるため,表面再結合の寄与が大きくなりライフタイム測定は困難である。そこで、表面再結合の影響がなく、電気的に正孔ライフタイムを測定する手法が求められる。本発表では正孔ライフタイムがpnダイオード特性に与える影響をデバイスシミュレーションを用いて調査したので、報告する