The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[21p-145-1~14] 13.3 Insulator technology

Fri. Sep 21, 2018 1:15 PM - 5:00 PM 145 (Reception Hall)

Keisuke Yamamoto(Kyushu Univ.), Yasushi Hotta(Univ. of Hyogo)

3:45 PM - 4:00 PM

[21p-145-10] Study on applicability to energy harvesting of the interface dipole layer strength change under temperature fluctuating environment

Takashi Hamaguchi1, Koji Kita1 (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:interface dipole, energy harvesting

high-k材料およびSiO2のうちいくつかの組合せでは界面ダイポール層強度に温度依存性が見られる。これは異種酸化物を積層した構造中に生じる分極が温度依存性をもつことを意味し、焦電体の表面電荷が温度により変化するという焦電効果に類似する。本研究ではMOSキャパシタの両端に流れる変位電流が界面ダイポール層の挿入によって増大することの実証を通じ,界面ダイポール層に基づいた温度変動による環境発電への応用可能性を検討した。