[21p-145-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[21p-145-3] CVD法を用いたGeO₂/Ge構造の作製と評価

〇勝野 泰幸¹、佐藤 亜武¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.東京農工大学)

キーワード：半導体