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[21p-146-15] Growth temperature dependence of InGaN electric properties
Keywords:MBE, InGaN, electric properties
GaNやInNなどの窒化物半導体は直接遷移型のバンドギャップを持ち、ヘテロ構造を利用できることから、様々な光デバイスや高出力デバイスに用いられている。そして、これらの窒化物半導体を低温で成長することができれば、その応用範囲をさらに広げることができる。そこで、本研究では、InGaNにおける電気的特性の成長温度依存性を調べた。