The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[21p-146-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 21, 2018 1:30 PM - 6:00 PM 146 (Reception Hall)

Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Narihito Okada(Yamaguchi Univ.)

5:15 PM - 5:30 PM

[21p-146-15] Growth temperature dependence of InGaN electric properties

Masahiro Hemmi1, Naohiro Imai1, Hiroki Yamaki1, Kouhei Tsubaki1, Toshiki Makimoto1 (1.Waseda Univ.)

Keywords:MBE, InGaN, electric properties

GaNやInNなどの窒化物半導体は直接遷移型のバンドギャップを持ち、ヘテロ構造を利用できることから、様々な光デバイスや高出力デバイスに用いられている。そして、これらの窒化物半導体を低温で成長することができれば、その応用範囲をさらに広げることができる。そこで、本研究では、InGaNにおける電気的特性の成長温度依存性を調べた。