[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-146-4] 大気圧流速支援液相成長法によるGaNの成長

〇成塚 重弥¹、神林 大介¹ (1.名城大理工)

キーワード：半導体、液相成長、窒化ガリウム

低コストでGaNを成長させるため、Naを用いない大気圧でのGaN LPEが報告されている。しかし、成長速度が大変遅いので、今回は、流速支援液相成長法（FA-LPE）と組み合わせることで、その成長速度を向上させることを目指した。内側ボートの回転速度に比例し、成長速度が増加する実験結果より、FA-LPE法はGa溶液中のN原子の輸送を加速させ、その結果、成長速度が効率よく向上できることが分かった。