[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-7] 電子スピン共鳴による(111)面Diamond/Al₂O₃界面欠陥の検出

〇(DC)真栄 力¹、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、山崎 聡²、梅田 享英¹ (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、界面欠陥、MOSFET

スマートグリッド社会の実現に向けて、バリガ指数でSiCやGaNを凌駕するダイヤモンドを用いた反転層型MOSFETの研究開発が進められている。(111)面リンドープn型ダイヤモンド上に形成したAl₂O₃ゲート絶縁膜構造で動作実証に至ったが、現状では多くの界面欠陥の存在が示唆されている。本研究ではダイヤモンド/絶縁膜の界面欠陥を電子スピン共鳴分光法を用いて検出した。発表では界面欠陥ESR信号の詳細な解析結果や起源の議論を行う予定である。