[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-11] ミニマルCMPの面内均一性評価

〇飯塚 治己^1,2、谷島 孝^3,2、三浦 典子²、クンプアン ソマワン^2,3、原 史朗^2,3 (1.横河ソリューションサービス、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマルファブ

CMPの典型的な使用方法であるデバイス工程での平坦化プロセスについての研磨速度や局部的な平坦性の評価を行ってきたが、これまでウエハ全面を詳細に評価しきれてはいなかった。ここで重要なことは小口径ほどウェハ外周部の削れ量が多くなるという本質的課題を克服しなければならないことである。そこで、今後デバイス製作プロセスに対応できるCMP工程を確立するために、現状の面内均一性の改善を実験計画法を用いて解析した。