2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 13:00 〜 16:45 233 (233)

角嶋 邦之(東工大)、呉 研(日大)

13:15 〜 13:30

[21p-233-2] ミニマルイオン注入装置の開発

三浦 典子1、橋本 直樹1,2、北村 是尊1,2、居村 史人1,3、佐藤 和重1、古賀 和博1、石田 夕起1,3、大平 俊行1,3、クンプアン ソマワン1,3、原 史朗1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.フジ・インバック、3.産総研)

キーワード:ミニマル、イオン注入

我々は規格化された超小型の製造装置とそのシステムであるミニマルファブの開発を行っている。既に殆どの主要前工程装置は実用商品のレベルに達しているが、イオン注入装置は小型化が困難とされてきた。我々は、装置毎に単一のソースガスに限定し、質量分離器に永久磁石を使用することで装置を超小型化し、すべてのコンポーネントをミニマル規格の筐体に格納した。本研究では、その概要とイオン注入の基本性能について報告する。