[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-3] ミニマルファブを用いたTiNゲートSOI CMOSの試作

〇古賀 和博¹、柳 永勛²、居村 史人^1,2、加瀬 雅²、野田 周一²、根本 一正²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

キーワード：熱拡散、窒化チタンゲート

SOIウエーハとTiN反応性スパッタ膜を用いた完全空乏型SOI CMOSプロセスを検討した。イオン注入装置は未だ開発中の為、液体ドーピングによる熱拡散を用いた。SOIウエーハは素子分離が容易でリーク電流低減や拡散時間の短縮に効果がある。TiN膜はSiのバンドギャップの中心に仕事関数を有する材料で、CMOSを作る上でpウエルが不要となり工程短縮に効果がある。CMOSプロセス全てをミニマル装置のみを使用して試作し、良好な電気特性が得られた。