[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-5] Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製

〇梁 剣波¹、桝谷 聡士²、藤居 大樹³、金 聖祐³、嘉数 誠²、重川 直輝¹ (1.大阪市大院工、2.佐賀大院工、3.アダマンド並木精密宝石株式会社)

キーワード：ダイヤモンド、表面活性化接合、ダイヤモンド/Si直接接合