[21p-PB1-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[21p-PB1-18] XPS analysis of interface between metal and organic film by Ar gas ion cluster ion beam

〇Masashi Seki¹, Kazuki Nakamura², Sayaka Yamamoto², Hiromi Tanaka² (1.Toshiba TEC Corp., 2.National Institute of Technology, Yonago College)

Keywords:XPS, Organic film, etching

有機絶縁膜は繰り返し電圧を印加すると絶縁性が劣化する。原因特定には、電極との界面を含んだ有機絶縁膜の深さ方向のXPSが有効である。Ar-GCIBエッチングを併用すれば、試料へのダメージを抑えて試料表面から数nm～数百nm以上の深さまで測定できる。本報告では、金属材料のエッチングレートが高いArモノマーイオンエッチングによって金属と有機膜界面近傍までエッチングした後、界面付近はAr-GCIBでエッチングし、XPS測定結果を報告する。