[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-10] 非ドライエッチングプロセスのＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴデバイス用高温イオン注入マスク形成によるドレイン電流リークの改善

〇川本 一成¹、小林 勇介¹、藤原 健典²、岡沢 徹²、早坂 惇²、大瀬 直之³、原田 信介¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レ、3.富士電機)

キーワード：炭化ケイ素、トレンチMOSFET、耐熱マスクレジスト

SiCトレンチMOSFETデバイスの製造において、高温イオン注入マスク形成を従来のドライエッチングプロセスから耐熱マスクレジストを用いた非ドライエッチングプロセスに変更したことにより、ドレイン電流リークが改善した。ドライエッチングプロセスではSiC基板表面にエッチングダメージが見られており、これがドレイン電流リークに大きな影響を与えていると思われる。