[21p-PB6-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-PB6-9] Structural analysis of interfacial dislocations and expanded single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p-i-n diodes

〇SHOHEI HAYASHI^1,2, Tamotsu Yamashita^1,3, Masaki Miyazato^1,4, Masaaki Miyajima^1,4, Junji Senzaki¹, Tomohisa Kato¹, Yoshiyuki Yonezawa¹, Kazutoshi Kojima¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.TRC, 3.SHOWA DENKO, 4.Fuji Electric)

Keywords:silicon carbide, forward current degradation, interfacial dislocation

1500℃以上の高温処理を必要とするSiCデバイスプロセスでは、ウェハに対して不均一な熱ストレス(熱歪)が生じた場合に、基板内の基底面転位(BPD)を起源としてエピ/基板界面に界面転位(ID)を形成され、バイポーラデバイスの順方向通電によりシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の拡大起源となることが示唆される。本研究では、基板内のBPDを起源としてデバイスプロセス中に形成されたIDの構造と1SSFの拡大について調査した。