[21p-PB6-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [21p-PB6-3] Theoretical study of strain-induced modulation of the bandgap in SiC

〇(DC)Kenta Chokawa¹, Kenji Shiraishi^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:SiC, strain, bandgap

SiCは結晶多型が多く存在しており、それぞれがユニークなバンドギャップを有している。半導体材料では歪みよりバンドギャップが変化するため、結晶多型によりそれぞれどのように変化するかを調べた。等方歪みに対してはあまりバンドギャップは変化しないが、二軸歪みに対しては大きくバンドギャップが変調し、多型や歪みを加える面により傾向が異なることが明らかになった。