[21p-PB6-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-PB6-2] Construction of 4H-SiC/SiO2 interface models on a- and m-faces by first-principles calculations

Tomoaki Kaneko¹, Nobuo Tajima¹, Takahiro Yamasaki¹, 〇Jun Nara¹, Tatsuo Schimizu², Koichi Kato³, Takahisa Ohno¹ (1.NIMS, 2.Toshiba R&D., 3.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:SiC, oxide, simulation

ワイドギャップ半導体のSiC は高い移動度などの優れた特性を示すことより、パワーデバイスへの応用が期待されている。近年、a-面（11-20）やm-面（1-100）の利用が検討され、活発に実験が行われているが、これまでa-面やm-面についての理論計算による解析はほとんど行われていない。そこで、第一原理計算によりa-面、m-面での4HSiC/SiO2 界面モデル構造の作成を試みた。