[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-9] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における界面転位を起源とした積層欠陥の拡大と構造解析

〇林 将平^1,2、山下 任^1,3、宮里 真樹^1,4、宮島 將昭^1,4、先崎 純寿¹、加藤 智久¹、米澤 喜幸¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工、4.富士電機)

キーワード：SiC、順方向通電劣化、界面転位

1500℃以上の高温処理を必要とするSiCデバイスプロセスでは、ウェハに対して不均一な熱ストレス(熱歪)が生じた場合に、基板内の基底面転位(BPD)を起源としてエピ/基板界面に界面転位(ID)を形成され、バイポーラデバイスの順方向通電によりシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の拡大起源となることが示唆される。本研究では、基板内のBPDを起源としてデバイスプロセス中に形成されたIDの構造と1SSFの拡大について調査した。