中込真二

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発表者・著者、共著者

2018年3月20日(火) 09:00 〜 11:30 E201 (57-201)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[20a-E201-8] β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性

〇中込真二¹、安田隆¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)

11:15 〜 11:30

[20a-E201-9] NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性

〇中込真二¹、佐々木光¹、目黒真也¹、國分義弘¹ (1.石巻専修大理工)