11:30 〜 11:45 [19a-C302-10] 高温でイオン注入されたGaN基板のTEMによる欠陥評価 〇前川 順子1、川野輪 仁1、青木 正彦1、高廣 克己2、一色 俊之2 (1.㈱イオンテクノセンター、2.京都工芸繊維大学)