10:45 〜 11:00 △ [20a-E201-7] ウェットエッチングを用いたβ-Ga2O3 (100)基板表面のSi不純物除去 〇李 政洙1、若林 諒1、吉松 公平1、加渡 幹尚2、大友 明1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)