10:45 AM - 11:00 AM
△ [20a-E201-7] Removal of Si surface impurities from β-Ga2O3 (100) substrate by using wet etching
Keywords:Gallium oxide
次世代のパワーデバイス用材料として注目を集めている酸化ガリウム(β-Ga2O3)は,基板表面に存在するSi由来の不純物の除去が解決すべき課題となっている.今回我々はウェットエッチング処理を基板に行い,Si不純物の除去を試みた.また,エッチング処理を行った基板上にβ-Ga2O3薄膜を作製し,表面平坦性や不純物濃度を明らかにした.