11:45 〜 12:00 [18a-G203-9] Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案 〇加藤 公彦1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)
12:00 〜 12:15 [18a-G203-10] n-ZnO/p-(Si, Ge) 積層型トンネル電界効果トランジスタの動作実証 〇加藤 公彦1、松井 裕章1、田畑 仁1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大院工)