13:15 〜 13:30 △ [20p-D103-1] 窒化処理後に低温ウェット酸化処理をした4H-SiC MOS構造における界面準位密度とウェット酸化膜成長量の関係性 〇作田 良太1、西田 水輝1、平井 悠久1、喜多 浩之1 (1.東大院工)