17:15 〜 17:30 [17p-C101-6] ECR ArプラズマCVDにより形成したSi-Ge系p+-n接合へのBドープSiの結晶性改善の影響 〇(DC)李 武1、上野 尚文1、加藤 永史1、櫻庭 政夫1、秋間 学尚1、佐藤 茂雄1 (1.東北大通研)