10:00 〜 10:15
〇桝谷 聡士1、角谷 均2、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工、2.住友電工アドバンストマテリアル研究所)
桝谷 聡士
発表者・著者、共著者
2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:30 F206 (61-206)
- 一般セッション(口頭講演)
- | 6 薄膜・表面
- | 6.2 カーボン系薄膜
2018年3月20日(火) 09:00 〜 11:30 E201 (57-201)
- 一般セッション(口頭講演)
- | 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
- | 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
09:00 〜 09:15
〇桝谷 聡士1、佐々木 公平2,3、倉又 朗人2,3、上田 修4 (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.タムラ製作所、4.金沢工大)