16:45 〜 17:00 [18p-C302-12] GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETにおけるゲート金属形成プロセスの影響 木瀬 信和1、〇青沼 遼介1、宮本 恭幸1 (1.東工大工)