[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-C302-12] Influence of gate metallization processes in GaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FET

Nobukazu Kise¹, 〇Ryosuke Aonuma¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:III-V compound semiconductor, InGaAs, Tunnel FET

トンネルFETは急峻なSSを持つ次世代の低消費電力デバイスとして期待されている。トンネルFET のSS改善に向けた課題は界面準位密度の削減である。界面準位密度に影響する要因としてゲート金属形成プロセスがある。今回，GaAsSb/InGaAsダブルゲートトンネルFETのゲート金属形成プロセスに熱蒸着法を採用することで，電子ビーム蒸着法と比較してサブスレッショルド領域の特性が向上したことを報告する。