11:00 〜 11:15 [19a-C101-8] バルクSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ):イオン注入温度依存性 〇中田 真史1、山本 将輝1、入江 翔1、小又 祐介1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)