13:45 〜 14:00 [19p-C302-1] 界面制御したGaN上MOSFETの特性 〇上野 勝典1、松山 秀昭1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機(株)、2.山梨大)