[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-C302-1] GaN-MOSFET characteristics of the controlled interface

〇Katsunori Ueno¹, Hideaki Matsuyama¹, Ryo Tanaka¹, Shinya Takashima¹, Masaharu Edo¹, Kiyokazu Nakagawa² (1.Fuji Electric, 2.Univ. of Yamanashi)

Keywords:GaN, MOSFET, interface

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待され、近年は自立基板の普及に伴い縦型パワーデバイス実現に向けた研究開発が活発に進められている。パワー用途でのスイッチングデバイスには絶縁ゲート駆動でノーマリーオフ型が望まれ、これらを実現可能なMOSチャネルの特性制御は重要な要素技術である。我々は、これまでにp型GaNエピ層上にてSiO₂を用いたMOSFET特性制御が可能であることを明らかにした。しかし、SiO2の形成条件が特性にどのように影響を与えるのかよくわからなかったため、今回、成膜条件が界面とMOSFETの特性に与える影響について調べた。