14:45 〜 15:00 [19p-C302-5] Mgイオン注入を用いた縦型GaN MOSFETの実現 〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)