一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2018年3月19日(月) 10:00 〜 11:45 E201 (57-201)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
10:00 〜 10:15
〇赤沢 方省1 (1.NTT DIC)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇宮田 俊弘1、徳永 浩己1、南 内詞1 (1.金沢工大)
スケジュール
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)
10:30 〜 10:45
〇福本 通孝1、中尾 祥一郎1、廣瀬 靖1、長谷川 哲也1 (1.東大院理)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇(DC)三溝 朱音1、菊地 直人1,2、相浦 義弘2、西尾 圭史1 (1.東京理科大、2.産総研)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇(M2)Mian Wei1、Anup Sanchela2、Bin Feng3、Joonhyuk Lee4、Gowoon Kim4、Hyoung Jeen4、Yuichi Ikuhara3、Hiromichi Ohta1,2 (1.IST-Hokkaido Univ.、2.RIES-Hokkaido Univ.、3.Univ. Tokyo、4.Pusan Natl Univ.)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇(P)ANUPKUMAR VINODRAY SANCHELA1、Mian Wei2、Bin Feng3、Joonhyuk Lee4、Goowon Kim4、HyoungJeen Jeen4、Yuichi Ikuhara3、Hiromichi Ohta1,2 (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.IST-Hokkaido Univ.、3.Univ. Tokyo、4.Pusan Natl Univ.)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇山本 哲也1、小林 啓介1,2、小林 英治3、野本 淳一1、牧野 久雄1、小畠 雅明2、斎藤 祐児2、藤森 伸一2、岡根 哲夫2、山上 浩志2 (1.高知工科大総研、2.原子力機構、3.長州産業（株）)
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