[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-C101-11] イオン注入を用いた中空構造SOI層のピラー形状制御による高効率低温転写法

〇山下 知徳¹、水上 隆達¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：フレキシブルエレクトロニクス、単結晶シリコン