一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:30 〜 09:45
〇武居 則久1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)
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09:45 〜 10:00
〇水川 友里1、中野 航1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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10:00 〜 10:15
〇原田 大夢1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先端研)
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10:15 〜 10:30
〇(B)三野 伸晃1、横川 凌1,3、鈴木 貴博1、高橋 和也2、小森 克彦2、森本 保2、澤本 直美1、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株、3.学振特別研究員)
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10:30 〜 10:45
〇餅井 亮介1、藤井 茉美1、石河 泰明1、菅原 祐太2、野寺 伸武2、松本 隆夫2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.堺ディスプレイ)
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10:45 〜 11:00
〇平岩 弘之1、グエン ティ トゥイ1、黒木 伸一郎1 (1.広大ナノデバイス)
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11:15 〜 11:30
〇佐々木 伸夫1,2、Muhammad Arif2、浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
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11:30 〜 11:45
Sasaki Nobuo1,2、〇(M2)razali arif muhammad2、Uraoka Yukiharu2 (1.Sasaki Consulting、2.NAIST)
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11:45 〜 12:00
〇妹川 要1,2、田中 希1、諏訪 輝1,2、中村 大輔1、佐道 泰造1、池上 浩1 (1.九大シス情、2.九大ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門)
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12:00 〜 12:15
〇水上 隆達1、山下 知徳1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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12:15 〜 12:30
〇山下 知徳1、水上 隆達1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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