2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 09:30 〜 12:30 C101 (52-101)

野口 隆(琉球大)

11:45 〜 12:00

[17a-C101-9] リン酸溶液塗布法による低温ポリシリコン膜中へのKrFエキシマレーザードーピング

妹川 要1,2、田中 希1、諏訪 輝1,2、中村 大輔1、佐道 泰造1、池上 浩1 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード:エキシマレーザードーピング、低温ポリシリコン、リン酸溶液塗布

TFTのチャネル材料として用いられている低温ポリシリコン(LTPS)はa-Siをエキシマレーザーアニーリング(ELA)することで形成される。一方でTFTのコンタクト抵抗低減のためにLTPSへのイオン注入やCVDなどの真空、高温プロセスが必要とされており、我々はこれまで真空を用いない低温プロセスとしてリン酸溶液中のKrFエキシマレーザードーピングについて報告してきた。本稿ではLTPS表面にリン酸溶液を塗布する新たなドーピング方法を提案する。