[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

△ [17a-F206-1] SiO₂膜の高電界ストレス印加時の捕獲電荷の評価

〇(M1)南家 健志¹、蓮沼 隆¹ (1.筑波大学)

キーワード：半導体、酸化膜、トラップ

ストレス印加によってSiO₂膜中に捕獲された電荷の成分を分離するための評価方法を考えた。これは、SIO₂膜に高電界ストレスを印加した後に、低電界の一定電流で測定を行う手法である。実験結果は、トラップに捕獲されていた正孔が注入された電子と再結合し、電荷の中性化が起こっていることを示した。