[17p-C101-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [17p-C101-1] Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果

〇(B)秋田 佳輝¹、部家 彰¹、松尾 直人¹、小濱 和之²、伊藤 和博² (1.兵県大工、2.大阪大工)

キーワード：半導体、結晶化、Ge