2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-C101-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 16:00 〜 17:30 C101 (52-101)

東 清一郎(広島大)

17:00 〜 17:15

[17p-C101-5] Low Temperature Crystallization using BLDA for PECVD Si films without de-hydrogenation

〇Takashi Noguchi1、Yuya Ishiki1、Futa Gakiya1、Tatsuya Okada1、Taro Morimura2、Atsushi Ota2、Yasushi Nishikata2 (1.Univ.f the Ryukyus、2.ULVAC Inc.)

キーワード：semiconductor, CVD