2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[17p-C303-1~14] 17.1 カーボンナノチューブ,他のナノカーボン材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C303 (52-303)

本間 芳和(東理大)、片浦 弘道(産総研)

15:00 〜 15:15

[17p-C303-5] (6,4)単層カーボナンノチューブの選択成長におけるプラズマ中活性種の効果

志摩 拓哉1、許 斌1、金子 俊郎1、加藤 俊顕1,2 (1.東北大院工、2.JST さきがけ)

キーワード:単層カーボンナノチューブ、カイラリティ制御、プラズマCVD

我々は,ナノスケール触媒の表面状態制御による手法により(6,4)SWNTsの高純度合成に世界で初めて成功した.本研究では(6,4)SWNTs選択成長とプラズマCVD条件の相関解明を目指し系統的な実験を行った.その結果,(6,4)SWNTsの純度向上がプラズマCVD中の触媒表面の還元効果以外の作用に起因することが明らかとなった.これはプラズマ中の特定活性種が寄与していると考えられる.