[17p-F206-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [17p-F206-15] Improvement in ferroelectricity of Hf_xZr_1−xO₂ thin films using top- and bottom-ZrO₂ nucleation layers

〇(M2)Takashi Onaya^1,2, Toshihide Nabatame^2,3, Naomi Sawamoto¹, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.CREST, JST)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, ZrO2 nucleation layer, Atomic layer deposition

近年、強誘電体FETなどの次世代デバイスの実現に向けて、電極材料に依存しない強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜形成技術の確立が要求されている。前回、我々は、原子層堆積法で作製したZrO₂膜をTiN下部電極とHZO膜間に挿入することで強誘電性が向上することを報告した。本研究では、HZO膜の更なる強誘電性の向上及び電極材料に依存しない強誘電性の実現を目的として、上下ZrO₂核生成層を用いたZrO₂/HZO/ZrO₂多層膜におけるHZO膜の結晶性及び強誘電性について調べた。