[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-F206-15] 上下ZrO₂核生成層によるHf_xZr_1−xO₂薄膜の強誘電性の改善

〇(M2)女屋 崇^1,2、生田目 俊秀^2,3、澤本 直美¹、大井 暁彦²、池田 直樹²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物質・材料研究機構、3.CREST, JST)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜、ZrO2核生成層、原子層堆積法

近年、強誘電体FETなどの次世代デバイスの実現に向けて、電極材料に依存しない強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜形成技術の確立が要求されている。前回、我々は、原子層堆積法で作製したZrO₂膜をTiN下部電極とHZO膜間に挿入することで強誘電性が向上することを報告した。本研究では、HZO膜の更なる強誘電性の向上及び電極材料に依存しない強誘電性の実現を目的として、上下ZrO₂核生成層を用いたZrO₂/HZO/ZrO₂多層膜におけるHZO膜の結晶性及び強誘電性について調べた。