Evaluation of border-traps in GeO<sub>2</sub>/Ge gate stacks grown by thermal oxidation and plasma oxidation

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206)

14:30 〜 14:45

〇(D)Weichen Wen¹、Taisei Sakaguchi¹、keisuke Yamamoto¹、Dong Wang¹、Hiroshi Nakashima² (1.IGSES, Kyushu Univ.、2.GIC, Kyushu Univ.)

キーワード：Ge MOS