[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-7] Hf-Post Metallization AnnealingによるGeO₂/Ge界面の特性変化

〇藤原 遥香¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹、山田 浩史¹、並木 美太郎¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体、ゲルマニウム