[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-2] Se 処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性

〇(M1)後藤 俊治¹、大竹 晃浩²、赤石 暁¹、中村 淳¹ (1.電通大院情報理工、2.物材機構)

キーワード：表面再構成、III-V族化合物半導体、第一原理計算

GaAs表面のSeによる不動態化は古くから議論されてきた。最近、Se処理されたGaAs(111)B 表面の新たな構造(As/Se 終端)モデルが提案された。本研究では、このモデルの構造安定性について、第一原理計算を用いて生成エネルギーの観点から議論する。表面の状態相図から、提案されているAs/Se終端表面は安定構造であることがわかった。一方，エレクトロンカウンティング則を満たさないSeによる完全終端表面も安定構造として存在し得ることがわかった。