[17p-F214-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-F214-3] Investigation on Ge dopant for the conductivity control of GaP-based III-V-N alloys

〇Tanaka Shunsuke¹, Keisuke Yamane¹, Masaya Goto¹, Hiroto Sekiguchi¹, Hiroshi Okada¹, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:semiconductor, crystal growth, Germanium dopant

GaP系III-V/Si多接合太陽電池は大面積かつ高効率を実現すると期待されている。これまで用いてきたn型ドーパントのSは蒸気圧が高く、残留キャリアとして取り込まれる問題がある。新規n型添加材料としてGeを用い、MBEを用いてGe添加GaP(N)を作製し評価した。Ge添加GaPはn型の伝導性を示し、キャリアが増加することを確認した。Ge添加GaPNは構造欠陥なく結晶成長でき、伝導型はp型であったがGe添加量によりキャリア濃度の制御ができた。